02パワー半導体グループ

今日の社会で電力変換・制御に使われるシリコン（Si）製パワー半導体は、社会全体のエネルギー効率向上に大きく貢献してきました。次世代では、さらに一段階上のエネルギー効率向上が求められています。この社会を実現すべく、SiCやGaN、酸化ガリウム、ダイヤモンドなどワイドバンドギャップ半導体が研究されています。この中でもダイヤモンドは、従来のSiだけではなく、SiCやGaNも遥かに凌ぐ高い耐圧性能と熱伝導性を持つため、次世代の電力インフラや電動モビリティ（EV）、宇宙産業を支える高効率・低損失なパワーデバイスを実現する鍵となります。当グループでは、この人工ダイヤモンドのポテンシャルを最大限に引き出し、高耐圧・大電流のスイッチングを可能とする独自の構造を有するパワーデバイスの研究開発を進めています。出口のデバイス作製だけではなく、デバイスの性能や安定性を左右する欠陥の制御や終端構造技術の確立も重点的に研究しています。これら基礎的な研究から新しいデバイス構造の研究は、既存材料では到達不可能な領域を切り拓く当グループの最大の武器です。